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三星（中國）半導(dǎo)體有限公司X2項目三星（中國）半導(dǎo)體有限公司X2項目施工圖設(shè)計文件審查項目，該項目建于中國陜西省西安高新技術(shù)開發(fā)區(qū)綜合保稅區(qū)內(nèi)綜四路以南，保七路以西。建設(shè)規(guī)模：建設(shè)一條12英寸10-X nm級V4 NAND閃存芯片生產(chǎn)線，設(shè)計產(chǎn)能6.5萬片/月。項目初期產(chǎn)品為64G/128G/256G NAND MLC。項目總投資約70億美元，其中建設(shè)投資約64.7億美元，流動資金5.3億美元。本項目用地面積約532,079.35m2，二期項目建筑面積約537408.54m2，計容建筑面積約713115.85 m2。
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